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SK하이닉스는 세계 최초로 10나노급 6세대 DDR5 D램을 개발하는데 성공했다고 밝혔습니다.
이어 가장 먼저 기술 한계를 돌파해냈다며 동작 속도는 이전 세대보다 11%, 전력효율은 9% 이상 개선됐다고 밝혔습니다.
SK하이닉스는 올해 안에 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 본격적으로 공급할 계획입니다.
또 7세대 고대역폭 메모리에도 기술을 적용해 D램 시장을 계속 선도해 나가겠다는 방침입니다.
YTN 최아영 (cay24@ytn.co.kr)
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